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首款12層堆疊HBM3內(nèi)存發(fā)布，單條最高容量24GB|前沿資訊

2023-04-20 17:54:03來源：中關村在線  


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SK海力士20日宣布，全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗證。

據(jù)了解，SK海力士在此次此新產(chǎn)品采用了MR-MUF和TSV技術。SK海力士表示，通過MR-MUF技術加強了工藝效率和產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性，又利用TSV技術將12個比現(xiàn)有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實現(xiàn)了與16GB產(chǎn)品相同的高度。

TSV技術指的是硅通孔技術，在DRAM芯片打上數(shù)千個細微的孔，并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝技術。采用該技術的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清（Full-HD）電影，最大速度可達819GB/s。

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