東京工業(yè)大學(xué)研發(fā)BBCube可堆疊內(nèi)存 比HBM2E快4倍

2023-07-07 21:05:46來(lái)源：中關(guān)村在線  


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東京工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近日研發(fā)出一種名為BBCube的可堆疊內(nèi)存，其傳輸速度是現(xiàn)有的HBM2E內(nèi)存的4倍，而功耗僅為其五分之一。這一新型內(nèi)存的最大特點(diǎn)在于，它摒棄了傳統(tǒng)內(nèi)存的逐層焊接晶體布局。 該團(tuán)隊(duì)在2023年6月舉行的VLSI IEEE Symposium 2023大會(huì)上，不僅提出了這一新概念，還詳細(xì)描述了生產(chǎn)這種存儲(chǔ)器的技術(shù)流程。 高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合，如圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等。然而，現(xiàn)有的HBM內(nèi)存生產(chǎn)方法限制了其功能，堆疊中的每一層（DRAM芯片）不能制造得比特定規(guī)格更薄，且層之間的球接觸數(shù)量不能增加超過(guò)特定值，否則存在機(jī)械損壞和短路的風(fēng)險(xiǎn)。 為了解決這一問(wèn)題，科研團(tuán)隊(duì)提出在DRAM封裝過(guò)程中去除球接觸，這樣可以讓芯片變得更薄，降低每一層的機(jī)械應(yīng)力，縮短TSV的過(guò)孔線。 研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Takayuki Ohba教授表示：“BBCube 3D有潛力實(shí)現(xiàn)每秒1.6TB的吞吐量，比DDR5快30倍，比HBM2E快四倍?！睂?duì)于這一新型內(nèi)存的詳細(xì)信息，感興趣的讀者可以查閱相關(guān)論文進(jìn)行深入了解。

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